Onlangs het baie vriende gevra oor die eienskappe van molibdeen-spatteikens.In die elektroniese industrie, om die sputterdoeltreffendheid te verbeter en die kwaliteit van gedeponeerde films te verseker, wat is die vereistes vir die eienskappe van molibdeen-sputtering teikens?Nou sal die tegniese kenners van RSM dit aan ons verduidelik.
1. Reinheid
Hoë suiwerheid is 'n basiese kenmerkende vereiste van molibdeen sputtering teiken.Hoe hoër die suiwerheid van molibdeen teiken, hoe beter die werkverrigting van gesputterde film.Oor die algemeen moet die suiwerheid van molibdeen-sputtering-teiken minstens 99,95% wees (massafraksie, dieselfde hieronder).Met die voortdurende verbetering van die grootte van die glassubstraat in die LCD-industrie, moet die lengte van die bedrading egter verleng word en die lynwydte moet dunner wees.Om die eenvormigheid van die film en die kwaliteit van die bedrading te verseker, moet die suiwerheid van die molibdeen-sputterteiken ook dienooreenkomstig verhoog word.Daarom, volgens die grootte van die gesputterde glassubstraat en die gebruiksomgewing, word vereis dat die suiwerheid van molibdeensputtering 99.99% – 99.999% of selfs hoër is.
Molibdeen-sputterteiken word as katodebron in sputtering gebruik.Onsuiwerhede in vaste stof en suurstof en waterdamp in porieë is die vernaamste besoedelingsbronne van gedeponeerde films.Daarbenewens, in die elektroniese industrie, omdat alkalimetaalione (Na, K) maklik mobiele ione in die isolasielaag word, word die prestasie van die oorspronklike toestel verminder;Elemente soos uraan (U) en titanium (TI) sal vrygestel word α X-straal, wat lei tot sagte afbreek van toestelle;Yster- en nikkelione sal koppelvlaklekkasie en toename van suurstofelemente veroorsaak.Daarom, in die voorbereidingsproses van molibdeen sputtering teiken, moet hierdie onreinheid elemente streng beheer word om hul inhoud in die teiken te minimaliseer.
2. Korrelgrootte en grootteverspreiding
Oor die algemeen is die molibdeen-sputtering-teiken polikristallyne struktuur, en die korrelgrootte kan wissel van mikron tot millimeter.Die eksperimentele resultate toon dat die sputtertempo van fynkorrelteiken vinniger is as dié van growwekorrelteiken;Vir die teiken met 'n klein korrelgrootte verskil, is die dikteverspreiding van die neergeslagen film ook meer eenvormig.
3. Kristal oriëntasie
Omdat dit maklik is om die teikenatome verkieslik in die rigting van die naaste rangskikking van atome in die seskantige rigting tydens sputtering te verstuiwe, om die hoogste sputtertempo te bereik, word die sputtertempo dikwels verhoog deur die kristalstruktuur van die teiken te verander.Die kristalrigting van die teiken het ook 'n groot invloed op die dikte-uniformiteit van die gesputterde film.Daarom is dit baie belangrik om 'n sekere kristalgeoriënteerde teikenstruktuur vir die sputterproses van die film te verkry.
4. Verdigting
In die proses van sputterbedekking, wanneer die sputterteiken met lae digtheid gebombardeer word, word die gas wat in die interne porieë van die teiken bestaan skielik vrygestel, wat lei tot die spat van groot-grootte teikendeeltjies of -deeltjies, of die filmmateriaal word gebombardeer deur sekondêre elektrone na filmvorming, wat lei tot partikelspatsel.Die voorkoms van hierdie deeltjies sal die kwaliteit van die film verminder.Ten einde die porieë in die teiken vaste stof te verminder en die filmprestasie te verbeter, moet die sputterteiken gewoonlik 'n hoë digtheid hê.Vir die molibdeen-sputtering-teiken moet sy relatiewe digtheid meer as 98% wees.
5. Binding van teiken en onderstel
Oor die algemeen moet die molibdeen-sputtering-teiken met die suurstofvrye koper (of aluminium en ander materiale)-onderstel gekoppel word voor sputtering, sodat die termiese geleidingsvermoë van die teiken en onderstel goed is tydens die sputterproses.Na binding moet ultrasoniese inspeksie uitgevoer word om te verseker dat die nie-bindingsarea van die twee minder as 2% is, om te voldoen aan die vereistes van hoë-krag sputtering sonder om af te val.
Postyd: 19 Julie 2022